Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный университет "Львовская Политехника", Львов, Украина Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
6
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
5
Тарасенко В.Ф.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
4
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гинзбург Б.М.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
4
Рудь В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный университет "Львовская Политехника", Львов, Украина Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный университет "Львовская Политехника", Львов, Украина Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
4
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Михрин В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кузнецов А.П.
Саратовский филиал Института радиотехники и электроники РАН
3
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
NL Nanosemiconductor GmbH, Konrad--Adenauer--Allee 11, Dortmund, Germany
3
Денисов Г.Г.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Кузиков С.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Усанов Д.А.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Саратовский государственный медицинский университет им. В.И. Разумовского, Саратов, Россия
3
Скрипаль А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Саратовский государственный медицинский университет им. В.И. Разумовского, Саратов, Россия
3
Журтанов Б.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стоянов Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Туйчиев Ш.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
3
Кальянов Э.В.
Институт радиотехники и электроники РАН (Фрязинский филиал), Фрязино (Моск. обл.)
3
Булович С.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный университет "Львовская Политехника", Львов, Украина Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
3
Нечитайлов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный университет, Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербург, Россия Институт аналитического приборостроения РАН, Санкт-Петербург, Россия Wihuri Physical Laboratory, Department of Physics, University of Turku,F Turku, Finland
3
Пунегов В.И.
Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар, Россия Сыктывкарский государственный университет, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия CSIRO Manufacturing and Infrastructure Technology, Victoria, Australia
2
Соколовский Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY169SS,UK
2
Дерягин А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY169SS,UK
2
Кучинский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY169SS,UK
2
Рафаилов Э.У.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY169SS,UK
2
Сиббет В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Department of Electrical and Computer Engineering, Texas Tech University, Lubbock, TX, USA Division of Electronic Engineering and Physics, University of Dundee, Dundee DD1 4HN, UK School of Physics and Astronomy, University of St Andrews, North Haugh, St Andrews, KY169SS,UK
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михеев Г.М.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Могилева Т.Н.
Институт прикладной механики УРО РАН, Ижевск
2
Шутов А.А.
Обнинский государственный технический университет атомной энергетики
2
Матвеев О.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зеленина Н.К.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Терентьев А.И.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Томасов А.А.
Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова Российской академии наук, Москва, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ломаев М.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Рыбка Д.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бабенко В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малый А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Костыря И.Д.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Шуаибов А.К.
Ужгородский национальный университет, Украина
2
Поздняков Г.А.
Институт теоретической и прикладной механики СО РАН, Новосибирск
2
Красичков Л.В.
Саратовский государственный университет
2
Сейсян Р.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
2
Шеин И.Р.
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Ивановский А.Л.
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург
2
Гурин В.А.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Гурин И.В.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Колосенко В.В.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Ксенофонтов В.А.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Михайловский И.М.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Буколов А.Н.
Национальный научный центр "Харьковский физико-технический институт", Харьков, Украина
2
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданкевич И.Л.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Лоза О.Т.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Аванесян В.Т.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Храмов А.Е.
Саратовский государственный университет
2
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ктиторов С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Песков Н.Ю.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Васильев П.Я.
ФГУП "ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО)
2
Каманина Н.В.
ФГУП "ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ) Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики (ИТМО)
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев
2
Марышев С.Н.
Институт радиотехники и электроники РАН им. В.А. Котельникова Ульяновский филиал института радиотехники и электроники РАН им. В.А. Котельникова
2
Шевяхов Н.С.
Институт радиотехники и электроники РАН им. В.А. Котельникова Ульяновский филиал института радиотехники и электроники РАН им. В.А. Котельникова
2
Логинов С.В.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
2
Сиповская М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Магомедов М.Н.
Институт проблем геотермии Дагестанского научного центра РАН, Махачкала
2
Саидов А.С.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Усмонов Ш.Н.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Холиков К.Т.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Сапаров Д.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Возняковский А.П.
Институт синтетического каучука им. С.В. Лебедева, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Кудояров М.Ф.
Институт синтетического каучука им. С.В. Лебедева, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Поздняков О.Ф.
Институт синтетического каучука им. С.В. Лебедева, С.-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
2
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалыгина Е.Е.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Технологический университет г. Тойохаши
2
Мукашева М.А.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова РАН, Москва Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова Технологический университет г. Тойохаши
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Научно-производственный концерн "Наука" Киев, Украина Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Россия nMAT Group, CEMES-CNRS,, Toulouse, France Wihuri Physical Laboratory, Turku University, FIN Turku, Finland
2
Трофимов В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, ВМиК
2
Нефедов Д.В.
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
2
Яфаров Р.К.
Институт радиотехники и электроники РАН, Саратовский филиал
2
Сидоров А.И.
ФГУП НПК "ГОИ им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет (ЛЭТИ)
2
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сафонов К.Л.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
2
Трушин Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр РАН
2
Табаров С.Х.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
2
Шепелевский А.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург Таджикский государственный национальный университет, Душанбе, Республика Таджикистан
2
Пергамент А.Л.
Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск
2
Стефанович Г.Б.
Петрозаводский государственный университет, Петрозаводск
2
Виколайнен В.Э.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Петров Р.Л.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет
2
Иванов С.В.
Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург
2
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Абрамов П.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев С.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Паперный В.Л.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
Иркутский государственный университет
2
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
2
Калмыков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
2
Григорьев Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Санкт-Петербургский государственный университет
2
Бакшт Ф.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Петербургский государственный университет путей сообщения
2
Александров Е.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
1
Балабас М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", С.-Петербург
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
1
Гусейнов Н.А.
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
1
Зегря Г.Г.
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Абрамов А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Боголюбов А.С.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Каменев В.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАНУ, Донецк, Украина
1
Прокопенко В.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина НАНУ, Донецк, Украина
1
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гременок В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург, Россия Беларусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Институт твердого тела и полупроводников Беларусской АН, Беларусь Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, С.-Петербург, Россия
1
Thumm M.
Институт прикладной физики РАН, Н. Новгород Институт ядерной физики СО РАН им. Будкера, Новосибирск Исследовательский центр Карлсруe, Германия
1
Обвивальнева А.А.
Институт теплофизики экстремальных состояний объединенного института высоких температур РАН, Москва
1
Жеребцов В.А.
Физико-энергетический институт им. А.И. Лейпунского, Обнинск
1
Тарасов О.А.
Тюменский государственный университет, Тюмень, Россия
1
Константинян К.И.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
1
Овсянников Г.А.
Институт радиотехники и электроники РАН, Москва
1
Скалдин О.А.
Институт физики молекул и кристаллов Уфимского научного центра РАН, Уфа, Россия
1
Медведева Н.Ю.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Рощупкин Д.В.
Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар, Россия Сыктывкарский государственный университет, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия CSIRO Manufacturing and Infrastructure Technology, Victoria, Australia
1
Нестерец Я.И.
Коми научный центр УрО РАН, Сыктывкар, Россия Сыктывкарский государственный университет, Россия Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Россия CSIRO Manufacturing and Infrastructure Technology, Victoria, Australia
1
Viitanen A.J.
Санкт-Петербургский государственный университет информационных технологий, механики и оптики, Россия Helsinki University of Technology, P.O. Box, F TKK, Finland
1
Севрюкова М.М.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Ломтев А.И.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Украина
1
Каппхан З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург Отдел физики, Университет г. Оснабрюк, Германия Институт физики твердого тела и оптики ВАН, Будапешт, Венгрия
1
Ильин В.А.
Пермский государственный университет
1
Коваль Л.В.
Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток
1
Мамутин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Барышников А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Басаргин И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Поздняков А.О.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зуев Л.Б.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Кульков С.Н.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Корляков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
1
Фрицлер К.Б.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Труханов Е.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Коссый И.А.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Звонарева Т.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург
1
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург Институт высокомолекулярных соединений РАН, С.-Петербург
1
Артюхин Д.В.
Петрозаводский государственный университет
1
Матюшин В.М.
Запорожский Национальный технический университет
1
Попов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Золотухин А.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Коноваленко Иг.С.
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Погребицкий К.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пучков М.Ю.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Сафин Н.В.
Сургутский государственный университет
1
Губенко А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
NL Nanosemiconductor GmbH, Konrad--Adenauer--Allee 11, Dortmund, Germany
1
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
NL Nanosemiconductor GmbH, Konrad--Adenauer--Allee 11, Dortmund, Germany
1
Шмидт А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, С.-Петербург
1
Решетников А.В.
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Мажейко Н.А.
Институт теплофизики УрО РАН, Екатеринбург, Россия
1
Гохфельд Д.М.
Институт катализа им. Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия
Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Сибирский государственный аэрокосмический университет им. Решетнева, Красноярск
1
Скуридин Р.В.
Институт механики сплошных сред УрО РАН, Пермь
1
Литовченко О.П.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев
1
Дубовой В.К.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича НАН Украины, Черновицкое отделение
Институт ядерных исследований НАН Украины, Киев
1
Иванов О.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лончаков А.Т.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург Российский государственный профессионально-педагогический университет, Екатеринбург Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
1
Жевстовских И.В.
Институт физики металлов УрО РАН, Екатеринбург Российский государственный профессионально-педагогический университет, Екатеринбург Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
1
Бохан П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закревский Дм.Э.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
School of Physics, University of Exeter, Stocker Road, Exeter EX4 4QL, United Kingdom
1
Анищенко В.С.
Саратовский государственный университет
1
Волков В.И.
Алтайский государственный медицинский университет, Барнаул
1
Лазнева Э.Ф.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
1
Авдеев К.С.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Тумакаев Г.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бобашев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Покоев А.В.
Самарский государственный университет
1
Аджиев А.Х.
Государственное учреждение "Высокогорный геофизический институт", Нальчик Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, Харьков
1
Сошенко В.А.
Государственное учреждение "Высокогорный геофизический институт", Нальчик Институт радиофизики и электроники им. А.Я. Усикова НАН Украины, Харьков
1
Киселев Н.С.
Донецкий физико-технический институт НАН Украины, Донецк, Украина IFW Dresden, Postfach, Dresden, Germany
1
Оганесян Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Климов А.И.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
Куркан И.К.
Институт сильноточной электроники СО РАН, Томск, Россия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук